由于绝缘栅型场效应管分增强型和耗尽型两种，我们仅以N沟道为例介绍绝缘栅型场效应管的特性曲线。
（1）转移特性曲线
增强型NMOS管的转移特性曲线如图（a）所示， U GS =0 时， I D =0 ；只有当 U GS > U T 时才能使 I D >0 ， U T 称为开启电压。耗尽型NMOS管的转移特性曲线如图（b）所示，在 U GS =0 时，就有 I D ；若使 I D 减小， U GS 应为负值，当 U GS = U P 时，沟道被关断， I D =0 ， U P 称为夹断电压。
对于增强型MOS在 U GS ≥ U T 时（对应于输出特性曲线中的恒流区）， I D 和 U GS 的关系为 I D = I D0 ( U GS U T −1 ) 2 ，其中 I D0 是 U GS =2 U T 时的 I D 值。
耗尽型MOS管的转移特性与结型管的转移特性相似，所以在 U P ≤ U GS ≤0的范围内（对应于输出特性曲线中恒流区）， I D 和 U GS 的关系为 I D = I DSS ( 1− U GS U P ) 2 。所不同是当 U GS ＞0时，结型场效应管的PN结将处于正向偏置状态而产生较大的栅极电流，这是不允许的；耗尽型MOS管由于 Si O 2 绝缘层的阻隔，不会产生PN结正向电流，而只能在沟道内感应出更多的负电荷，使 I D 更大。
（2）输出特性曲线
绝缘栅型场效应管的输出特性曲线和结型场效应管类似，同样也分成三个区：可调电阻区、恒流区（饱和区）、击穿区，含义与结型场效应管相同，跨导 g m = Δ I D Δ U GS 的定义及其含义也完全相同。 | 
