霍尔式传感器

1、霍尔效应

置于磁场中的静止载流导体，当它的电流方向与磁场方向不一致时，载流导体上平行于电流和磁场方向上的两个面之间产生电动势，这种现象称霍尔效应。该电势称霍尔电势。

霍尔效应演示：

当磁场垂直于薄片时，电子受到洛仑兹力的作用，向内侧偏移，在半导体薄片c、d方向的端面之间建立起霍尔电势。

2、霍尔元件材料

1）由RH=μρ，霍尔常数RH要大，即要求μρ 大；

2）金属材料载流子迁移率很高，但电阻率很小；

3）绝缘材料电阻率极高，但载流子迁移率极低；

4）故只有半导体材料才适于制造霍尔片；

5）常用材料：锗、硅、砷化铟、锑化铟。

3、霍尔元件基本结构

外形结构：　　　　　　　　　　　　　　　图形符号：

壳体是用非导磁金属、 陶瓷或环氧树脂封装

4、霍尔元件几个主要参数

霍尔常数RH ：RH = μρ

霍尔灵敏系数KH ：KH = RH /d

输入电阻：激励电极间的电阻值称为输入电阻。

输出电阻：霍尔电极输出电势对电路外部来说相当于一个电压源，其电源内阻即为输出电阻

额定激励电流：霍尔元件温升10℃时流过的激励电流．

措施：改善散热条件，可以使激励电流增加。