分压式偏置电路

时间:2023-03-13作者:佚名
 1.电路的组成
  分压式偏置电路如图1(a)所示。其中:
  Rb1Rb2是基极偏置电阻。
  C1是耦合电容,将输入信号vi耦合到三极管的基极。
  Rc是集电极负载电阻。
分压式偏置电路分压式偏置电路
       (a)电路             (b)微变等效电路
图1 分压式偏置电路及其微变等效电路

  Re是发射极电阻,CeRe的旁路电容,它为交流信号提供通道,避免了Re对输入信号的衰减。Ce的电容量一般为几十微法到几百微法。
  C2是耦合电容,将集电极的信号耦合到负载电阻RL上。
  图1(b)是图1(a)电路的微变等效电路。

  2.稳定静态工作点原理
  设流过基极偏置电阻分压式偏置电路的电流IR>>IB,因此可以认为基极电位VB只取决于分压电阻分压式偏置电路分压式偏置电路VB与三极管参数无关,不受温度影响。
  静态工作点的稳定是由VB和Re共同作用实现,稳定过程如下:
  设温度升高→IC↑→IE↑→VBE↓→IB↓→IC
其中:IC↑→IE是由电流方程 IEIBIC得出,IE↑→VBE是由电压方程VBEVBIERe得出,IB↓→IC是由 IC =βIB得出。
  由上述分析不难得出,Re越大稳定性越好。但事物总是具有两面性,Re太大其功率损耗也大,同时VE也会增加很多,使VCE减小导致三极管工作范围变窄。因此Re不宜取得太大。在小电流工作状态下,Re值为几百欧到几千欧;大电流工作时,Re为几欧到几十欧。

  3.静态分析
  分析图1电路的直流通路如图2,可以得出:
基极电位 VBVCC Rb2 / (Rb1 Rb2)
发射极电流 IE =( VBVBE)/ Re
集电极电流 ICIE
基极电流 IBIC / β
集射极电压 VCEVCCICRc-IERe= VCCIC(Rc Re)

  4.动态分析
  根据图1(b)的微变等效电路,有

分压式偏置电路
图2 基本放大电路的直流通路

       分压式偏置电路
  电压放大倍数Av
       AvVo/ Vi = -βRL′/ rbe   (2)
  输入电阻ri
       ri Vi / Ii      (3)
        = rbe // Rb1// Rb2rberbb` (1 β)26 mV/ IE
        =300Ω (1 β)26 mV/ IE

  根据输出电阻的定义,应将图1(b)微变等效电路的输入端短路,将负载开路。在输出端加一个等效的输出电压。于是输出电阻ro
             ro = rce∥Rc≈Rc (4)

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