晶体二极管的识别与检测方法图解

[2] 晶体二极管的文字符号为“VD”，各种二极管的图形符号如图示。

[3] 晶体二极管的主要参数有：（1） 最大整流电流I_FMFM，是指允许正向通过PN结的最大平均电流（图③a）。使用中实际工作电流应小于I_FM，否则将损坏二极管。（2） 最大反向电压U_RM，是指反向加在二极管两端而不致引起PN结击穿的最大电压（图③b）。使用中应选用U_RM大于实际工作电压2倍以上的二极管。（3） 检波或高频整流二极管的最高工作频率f_M，至少应2倍于电路实际工作频率。（4） 稳压二极管的稳定电压UZ值应符合电路要求。

[4] 晶体二极管两管脚有正、负极之分。电路符号中，三角底边为正极，短杠一端为负极。实物中，有的将电路符号印在二极管上标示出极性；有的在二极管负极一端印上一道色环作为负极标记；有的二极管两端形状不同，平头为正极，圆头为负极。使用中应注意识别。

[5] 晶体二极管具有单向导电特性，只允许电流从正极流向负极，而不允许电流从负极流向正极。

[6] 锗二极管和硅二极管在正向导通时具有不同的正向管压降。图示为锗二极管伏安特性曲线，当所加正向电压大于正向管压降时，锗二极管导通。锗二极管的正向管压降约为0.3V。

[7] 图示为硅二极管伏安特性曲线，当所加正向电压大于0.7V时，硅二极管导通。另外，在相同的温度下，硅二极管的反向漏电流比锗二极管小得多。从以上伏安特性曲线可见，二极管的电压与电流为非线性关系，因此晶体二极管是非线性半导体器件。

[8] 晶体二极管可用万用表进行管脚识别和检测。万用表置于“R×1k”挡，两表笔分别接到二极管的两端，如果测得的电阻值较小，则为二极管的正向电阻，这时与黑表笔（即表内电池正极）相连接的是二极管正极，与红表笔（即表内电池负极）相连接的是二极管负极。

[9] 如果测得的电阻值很大，则为二极管的反向电阻，这时与黑表笔相接的是二极管负极，与红表笔相接的是二极管正极。二极管的正、反向电阻应相差很大，且反向电阻接近于无穷大。如果某二极管正、反向电阻均为无穷大，说明该二极管内部断路损坏；如果正、反向电阻均为0，说明该二极管已被击穿短路；如果正、反向电阻相差不大，说明该二极管质量太差，不宜使用。

[10] 由于锗二极管和硅二极管的正向管压降不同，因此可以用测量二极管正向电阻的方法来区分。如果正向电阻小于1kΩ，则为锗二极管。

[11] 如果正向电阻为1～5kΩ，则为硅二极管。

[12] 晶体二极管的主要作用之一是检波。图示为超外差收音机检波电路，第二中放输出的调幅波加到二极管VD负极，其负半周通过了二极管，而正半周被截止，再由RC滤波器滤除其中的高频成份，输出的就是调制在载波上的音频信号，这个过程称为检波。

[13] 二极管的另一用途是整流。图示为整流电源电路，由于二极管的单向导电特性，在交流电压正半周时二极管VD导通，有输出；在交流电压负半周时二极管VD截止，无输出。经二极管VD整流出来的脉动电压再经RC滤波后即为直流电压。

[14] 全桥整流堆通常简称为全桥，是一种整流二极管的组合器件，有长方形、圆形、扁形、方形等，并有多种电压、电流、功率规格。

[15] 全桥整流堆的文字符号为“UR”。全桥整流堆内部包含4只整流二极管，并按一定规律连接，如右图所示，具有2个交流输入端（～）和直流正（ ）、负（-）极输出端。

[16] 全桥整流堆主要用于桥式全波整流电路。交流电压U正半周时，电流I_正经VD2、负载R、VD3形成回路，负载上电压U_R为上正下负。U负半周时，电流I_负经VD4、R、VD1形成回路，负载上电压U_R仍为上正下负，实现了全波整流。使用全桥整流堆，可以简化整流电路的结构。

[17] 图17为稳压二极管伏安特性曲线，可见，稳压二极管是利用PN结反向击穿后，其端电压在一定范围内基本保持不变的原理工作的。只要使反向电流不超过其最大工作电流I_ZM，稳压二极管是不会损坏的。

[18] 稳压值在15V以下的稳压二极管，可以用万用表“R×10k”挡（内含15V高压电池）测量其稳压值。读数时刻度线最左端为15V，最右端为0。可利用万用表原有的50V挡刻度来读数，并代入以下公式求出：稳压值为（50-X）/ 50·15V，式中，X为50V挡刻度线上的读数。

[19] 稳压二极管的作用是稳压，图示为并联稳压电路，稳压二极管VD上的电压即为输出电压。

[20] 三引脚稳压管是一种具有温度补偿的稳压二极管，其管壳内包含了两个背靠背反向串联的稳压二极管；其外形与晶体三极管一样，具有3条管脚 ：①脚和②脚分别为两个稳压二极管的负极，由于是对称的，可随意互换，使用时一个接电源正极，另一个接地；③脚为两个稳压二极管的公共正极，悬空不用。三引脚稳压管主要应用于对温度稳定度要求较高的精密稳压电路中。