晶体三极管的结构、符号、类型

　　（一） 结构和符号
　　在一块极薄的硅或锗基片上制作两个PN结就构成三层半导体，从三层半导体上各自接出一根导线，就是三极管的三个电极，再封装在管壳里就制成了晶体三极管。
　　三个电极分别叫做发射极e、基极b、集电极c，对应的每层半导体分别称为发射区、基区、集电区。发射区与基区交界处的PN结叫发射结，集电区与基区交界处的PN结叫集电结。依据基区材料是P型还是N型半导体，三极管有NPN型和PNP型两种组合型式。它们的基本结构如图（a）所示。
　　三极管的文字符号为"V"，图形符号如图（b）和（c）所示。两种符号的区别在于发射极箭头的方向不同，箭头方向表示发射结加正向电压时的电流方向。
图2是常见的几种国产三极管封装和外形。功率大小不同的三极管有着不同的体积和封装形式，在晶体管手册中有具体说明。

图1 体管晶体三极管的结构和符号
a) 结构 b) 符号 c) 大功率管
外壳集电极

　　早期生产的三极管有的采用玻璃封装；有些超小型三极管采用陶瓷环氧封装；绝大多数 大、中、小型三极管采用金属外壳封装；大功率晶体三极管管壳是集电极，通常作成扁平形状并有安装螺钉孔，有的大功率三极管的集电极制成螺栓形状，这样能使三极管和散热器连接一体便于散热。近年来越来越多的中、小功率三极管采用硅酮塑料封装。
　　三极管的制造工艺较多，图2-3和图2-4分别是用合金工艺和平面工艺制作的三极管结构示意图。不论哪种结构，都必须具有以下共同特点：
　　1. 发射区的掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。
　　2. 基区都做得很薄（约几到几十微米），集电结面积制作得比发射结面积大。
　　由于在结构上有这些特点，三极管并不等于两个二极管的简单组合，也不能将发射极和集电极颠倒使用。

图2 几种晶体三极管的外形和封装