功率MOSFET的开关特性
时间:2023-03-15来源:佚名
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因为MOSFET存在输入电容Ci, Ci有充电过程,栅极电压UGS呈指数曲线上升,当UGS上升到开启电压UT时,开始出现漏极电流iD,从脉冲电压的前沿到iD出现,这段时间称为开通延迟时间td。 随着UGS增加,iD上升,从有iD到iD达到稳态值所用时间称为上升时间tr。开通时间ton可表示为 ton=td+tr |
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因为MOSFET存在输入电容Ci, Ci有充电过程,栅极电压UGS呈指数曲线上升,当UGS上升到开启电压UT时,开始出现漏极电流iD,从脉冲电压的前沿到iD出现,这段时间称为开通延迟时间td。 随着UGS增加,iD上升,从有iD到iD达到稳态值所用时间称为上升时间tr。开通时间ton可表示为 ton=td+tr |







