功率场效应晶体管的主要参数

(1) 漏源击穿电压UDS：决定了功率MOSFET的最高工作电压。
(2) 栅源击穿电压UGS ：表征功率MOSFET栅源之间能承受的最高电压。该参数很重要：因为人体常常带有高压静电，所以在接触MOS型器件，包括电力MOSFET、普通MOSFET、MOS型集成电路时，可以先用手接触一下接地的导体，将身体的静电放掉，否则容易将GS间的绝缘层击穿。另外，在用烙铁焊MOS型器件时，应将烙铁加热后，拔下电源插座，再焊器件。
(3) 漏极最大电流ID：表征功率MOSFET的电流容量。一般厂家给定的漏极直流（额定）电流ID 是外壳温度为25度时的值，所以要考虑裕量，一般为3-5倍。
(4) 开启电压UT：又称阈值电压，指功率MOSFET流过一定量的漏极电流时的最小栅源电压。
(5) 通态电阻Ron：通态电阻Ron是指在确定栅源电压UGS下，功率MOSFET处于恒流区时的直流电阻，是影响最大输出功率的重要参数。
(6) 极间电容：功率MOSFET的极间电容是影响其开关速度的主要因素。其极间电容分为两类；一类为CGS和CGD，它们由MOS结构的绝缘层形成的，其电容量的大小由栅极的几何形状和绝缘层的厚度决定；另一类是CDS，它由PN结构成，其数值大小由沟道面积和有关结的反偏程度决定。
一般生产厂家提供的是漏源短路时的输入电容Ci、共源极输出电容Cout及反馈电容Cf，它们与各极间电容关系表达式为
Ci＝CGS＋CGD Cout＝CDS＋CGD Cf＝CGD
显然，Ci﹑Cout和Cf均与漏源电容CGD有关。