IGBT的工作特性

　　IGBT的开通和关断是由栅极电压来控制的。

　　当栅极施以正电压时，MOSFET内形成沟道，并为PNP晶体管提供基极电流，从而使IGBT导通。此时从N 区注入到N^-区的空穴（少子）对N^-区进行电导调制，减小Ⅳ区的电阻R_dr ，使阻断电压高的IGBT也具有低的通态压降。当栅极上施以负电压时。MOSFET内的沟道消失，PNP晶体管的基极电流被切断，IGBT即被关断。

　　在IGBT导通之后。若将栅极电压突然降至零，则沟道消失，通过沟道的电子电流为零，使集电极电流有所下降，但由于N^-区中注入了大量的电子和空穴对，因而集电极电流不会马上为零，而出现一个拖尾时间。