对陶瓷电容器施加直流电压时，容值为啥变小
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电容器的温度特性是以作为电介质材料的陶瓷种类为准。主要使用的陶瓷种类为类型1(低介电常数)以及类型2(高介电常数)。 类型1的陶瓷是以二氧化钛（TiO2）为基材的非强介电性陶瓷，其中多数含有添加物钛酸锶（SrTiO3）以及钛酸钙（CaTiO3）。类型1的陶瓷为中介电性（非强介电性），因此温度稳定性十分优秀。此外，DC偏压下静电容量不会发生变化，同时静电容量也不会因老化发生变化。 类型2，其高介电常数系列的电容器(B/X5R特性或E/Z5U、R/X7R、F/Y5V特性)，由于施加直流电压，其静电容量有时会不同于标称值，因此应特别注意。 例如，如下图所示，对高介电常数系列电容器施加的直流电压越大，其实际静电容量越低。下图是横轴表示施加在电容器的直流电压(V)，纵轴表示的是相对于初始值的静电容量的变化情况。如图所示，根据所施加的电压，其静电容量发生变化的特性称为"DC(直流)偏压特性"。
根据上述内容，在使用高介电常数系列电容器时，应充分考虑其实际工作状态下，施加在电容两端的直流电压。 此外，对于DC偏压特性，是普遍现象，在所有高介电常数系列电容器中都有此现象。可以通过软件来确认偏压特性、温度特性以及频率特性。例如村田提供SimSurfing。各个厂家都会提供相应的表格或者工具。 关于DC偏压特性的原理 陶瓷电容器中的高介电常数系列电容器，现在主要使用以BaTiO3 (钛酸钡) 作为主要成分的电介质。 BaTiO3具有如下图所示的钙钛矿（perovskite）形的晶体结构，在居里温度以上时，为立方晶体（cubic）,Ba2 离子位于顶点，O2-离子位于表面中心，Ti4 离子位于立方体中心的位置。
上图是在居里温度（约125℃）以上时的立方晶体（cubic）的晶体结构，在此温度以下的常温领域，向一个轴延长，其他轴略微缩短的正方体（tetragonal）晶体结构。 此时，作为Ti4 离子在结晶单位的延长方向上发生了偏移的结果，产生极化，不过，这个极化即使在没有外部电场或电压的情况下也会产生，因此，称为自发极化（spontaneous polarization）。像这样，具有自发极化，而且可以根据外部电场转变自发极化的朝向的特性，被称为强诱电型（ferro electricity）。
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