三种常见的陶瓷电容器及其特点

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半导体陶瓷电容器的特点

表面层陶瓷电容器，电容器的微小型化，即电容器在尽可能小的体积内获得尽可能大的容量，这是电容器发展的趋向之一。对于分离电容器组件来说，微小型化的基本途径有2个：使介质材料的介电常数尽可能提高；使介质层的厚度尽可能减薄。

在陶瓷材料中，铁电陶瓷的介电常数很高，但用铁电陶瓷制造普通铁电陶瓷电容器时，陶瓷介质很难做得很薄。首先是由于铁电陶瓷的强度低，较薄时易碎裂，难于进行实际生产操作；其次，陶瓷介质很薄时易造成各种组织缺陷，生产工艺难度很大。

02

高压陶瓷电容器

随着电子工业的高速发展，迫切要求开发击穿电压高、损耗小、体积小、可靠性高的高压陶瓷电容器。近10多年来，国内外研制成功的高压陶瓷电容器已经广泛应用于电力系统、激光电源、磁带录像机、彩电、电子显微镜、复印机、办公自动化设备、宇航、导弹、航海等方面。

钛酸钡基陶瓷材料具有介电系数高、交流耐压特性较好的优点，但也有电容变化率随介质温度升高、绝缘电阻下降等缺点。

◆精选原料影响高压陶瓷电容器质量的因素，除陶瓷原料组成以外，优化工艺制造、严格工艺条件也是非常重要的。因此，对原料既要考虑成本又要注意纯度，选择工业纯原料时，必须要注意原料的适用性。

◆熔块制备熔块制备的质量对瓷料的球磨细度和烧成有很大的影响，如熔块合成温度偏低，则合成不充分。对后续工艺不利。如合成料中残存Ca² ，会阻碍轧膜工艺的进行；如合成温度偏高，使熔块过硬，会影响球磨效率；研磨介质的杂质引入，会降低粉料活性，导致瓷件烧成温度提高。

◆成形工艺成形时要防止厚度方向压力不均，坯体闭口气孔过多，若有较大气孔或层裂产生，会影响瓷体的抗电强度。

◆烧成工艺应严格控制烧成制度，采取性能优良的控温设备及导热性良好的窑具。