L6207PD013TR电机驱动器驱动IC性能规格、产品数据介绍

L6207PD013TR器件是一种DMOS双全桥，专为电机控制应用而设计，采用BCD技术实现，将隔离的DMOS功率晶体管与CMOS和双极电路结合在同一芯片上，该装置还包括执行斩波调节的两个独立的恒定关断时间PWM电流控制器。L6207器件有PowerDIP24（20 2 2）、PowerSO36和SO24（20 2 2）封装，在高端功率MOSFET和热关机上具有非耗散过电流保护。

L6207PD013TR器件集成了两个独立的功率MOS全桥，内置快速续流二极管，使用死区时间实现交叉传导保护在桥的一个支路中的两个功率MOS的关断，和接通之间的电压典型值。在桥的上部晶体管中使用N沟道功率MOS需要高于电源电压的栅极驱动电压，自举VBOOT电源通过内部振荡器和少量外部组件获得，以实现下图所示的电荷泵电路振荡器输出VCP为600kHz的方波，振幅为10V。

电荷泵电路5.2逻辑输入引脚IN1A、IN2B、IN1B和IN2B是TTL/CMOS兼容逻辑输入，导通和关断阈值的典型值分别为Vth（开）=1.8V和Vth（关）=1.3V。引脚ENA和ENB具有相同的输入结构，但过电流和热保护MOSFET的漏极（一个用于桥A，一个用于桥接器B）也连接到这些引脚，由于这些连接，在驱动这些销时需要小心。

引脚图

应用图