Silanna UV将在UV LED技术与应用国际会议展示其效率高于传统AlGaN技术的UVC-LED产品

　　近日，Silanna UV 宣布将在德国柏林举行的UV LED 技术与应用国际会议上，展示其利用新技术的SF1 235nm和SN3 255nm系列UVC-LED。

　　器件效率高于传统AlGaN技术

　　据了解，传统的氮化铝镓 (AlGaN) 基远紫外 LED 由于高铝含量 AlGaN 的固有局限性，普遍存在载流子注入差、发光低和驱动电压高的问题。

　　由此Silanna UV采用新型短周期超晶格 (SPSL) 技术，来克服这些问题。在这种技术中，不是使用粗糙的老式三元合金，而是精心构建AlN和GaN的交替层(多达数百层)以创建所谓的SPSL。在由重复的AlN和GaN 层组成的SPSL器件中，GaN的存在保持了发射的TE(横向电)优势并降低了供体的活化能，从而与用GaN制成的 LED 相比，器件效率比传统的AlGaN技术更高。

　　此外，可以使用GaN井的厚度轻松调整发射波长。Silanna UV 指出，这个过程比调整屏障和井中的铝成分要容易得多。