芯元基半导体弱化结构Micro LED芯片获得韩国客户订单

　　4月18日，芯元基半导体宣布，公司最新研制的弱化结构Micro LED芯片获得韩国客户小批量采购订单。

　　据介绍，该弱化结构采用浸泡水的方式实现薄膜Micro LED芯片与临时基板分离，客户在胶水解粘的过程中，可以长时间地浸泡水，芯片位置却不会发生移动，工艺窗口宽，产品可用于印章转移等巨量转移工艺开发。

　　采用化学剥离GaN芯片技术，不仅可以实现GaN材料的无损剥离，而且可以实现将薄膜LED芯片高良率的任意转移到客户需要的客制化临时基板上，更有利于客户加速产业化技术路径开发。

　　芯元基半导体称，公司已经完成了多种规格的Micro LED产品协助客户开发巨量转移工艺，已有多家海外客户咨询并采购。

　　资料显示，芯元基半导体成立于2014年，是一家基于第三代半导体氮化镓(GaN)材料自主研发、设计、生产蓝宝石基GaN高端薄膜结构芯片、Mini/Micro LED芯片的公司。