7种MOS管栅极驱动电路
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01 直接驱动 首先说一下电源IC直接驱动，下图是我们最常用的直接驱动方式，在这类方式中，我们由于驱动电路未做过多处理，因此我们进行PCB LAYOUT时要尽量进行优化。如缩短IC至MOSFET的栅极走线长度，增加走线宽度，尽量将Rg放置在离MOSFET栅极较进的位置，从而达到减少寄生电感，消除噪音的目的。
当然另一个问题我们得考虑，那就是PWM CONTROLLER的驱动能力，当MOSFET较大时，IC驱动能力较小时，会出现驱动过慢，开关损耗过大甚至不能驱动的问题，这点我们在设计时需要注意。 02 IC内部驱动能力不足时 当然，对于IC内部驱动能力不足的问题我们也可以采用下面的方法来解决。
这种增加驱动能力的方式不仅增加了导通时间，还可以加速关断时间，同时对控制毛刺及功率损耗由一定的效果。当然，这个我们在LAYOUT时要尽量将这两个管子放的离MOSFET栅极较近的位置。这样做的好处还有减少了寄生电感，提高了电路的抗干扰性。 03 增加MOSFET的关断速度 如果我们单单要增加MOSFET的关断速度，那么我们可以采用下面的方式来进行。
关断电流比较大时，能使MOSFET输入电容放电速度更快，从而降低关断损耗。大的放电电流可以通过选择低输出阻抗的MOSFET或N沟道的负的截止的电压器件来实现，最常用的就是加加速二极管。 栅极关断时，电流在电阻上产生的压降大于二极管导通压降时，这时二极管会导通，从而将电阻进行旁路，导通后，随着电流的减小，二极管在电路中的作用越来越小，该电路作用会显著的减小MOSFET关断的延迟时间。 当然这个电路有一定的缺点，那就是栅极的电流仍然需要留过IC内部的输出驱动阻抗，这有什么办法解决呢？ 下面来讲讲PNP加速关断驱动电路。 04 PNP加速关断驱动电路 再来谈以下PNP加速关断电路：
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