石破天惊！EUV光刻机中国搞定了

芯片制裁一直是对我国造成极大困扰的领域之一。

许多专家曾表示，光刻机是全球人类智慧的结晶，依赖来自30多个国家的5000多家供应商共同努力，中国单凭一己之力难以实现。

然而，在短短几年内，我们成功实现了芯片制造的国产化。

从90纳米光刻机起，我们接连突破了65纳米、55纳米、28纳米等多个技术等级的光刻机，并以实现28纳米光刻机的量产。

28纳米成为了芯片制成的主流成熟技术，可满足全球芯片需求的70%以上。

理论上来说，成功研发出28纳米纯国产光刻机后，美国的芯片制裁已经失去了实质性意义。

但是，芯片不仅仅代表经济实力，还成为了美国技术实力和号召力的象征。

因此，七纳米和五纳米高端芯片的制造能力不再只是金钱的问题，而是一种象征。

我们不能仅满足于28纳米光刻机的成果，而应当秉持坚定的信念，追求更高技术水平，借美国发起的芯片战机会，打破美国技术无敌的神话，并让那些跟随美国制裁我国的商家付出沉重的代价。

当纯国产28纳米芯片生产线正式投产时，上海微电子研发的duv光刻机采用多次曝光技术，成功实现七纳米芯片的生产，为我国高端国产芯片的发展迈出了关键一步。

然而，多次曝光技术的成本较高，因此这种七纳米芯片并不具备商业大规模量产的价值，仍无法完全突破美国的芯片封锁。

要想生产纯国产的高端芯片，并与全球技术联盟一较高下，我国必须攻克EUV光刻机技术。

EUV光刻机与中低端光刻机在原理上有很大不同，因此即使我国已经成功从90纳米升级到28纳米，也无法直接生产七纳米和五纳米的芯片。

为了实现七纳米、五纳米甚至正在全球研发的三纳米芯片的商业量产，国际共识认为必须掌握EUV光刻机技术。

然而，目前只有荷兰的AML公司能够生产EUV光刻机，而且as ML的90%零部件都需要从30多个国家采购，自身仅负责组装。

因此，即使将图纸提供给中国，在缺少零部件供应的情况下，我们也难以独立制造EUV光刻机。

EUV光刻机的三大核心技术包括EUV光源系统、高精度弧形反射镜系统和超高精度真空双弓箭台。

尽管面临技术封锁，中国在EUV、光刻机的三大核心技术方面仍具备一定的技术实力。

早在2015年，中国的长春光机所就已经成功研发出了EUV光刻机的高精度弧形反射镜系统，多层镀膜，面型误差小于0.1纳米，符合EUV级光刻机的标准。

然而，这套系统并非完全国产，其中的镀膜装置需要从海外采购。

如果不受制裁限制，长春光机所的这项技术已经达到了国际顶尖水平。

然而，受到禁售制裁影响，海外镀膜装置无法购买，导致整个高精度弧形反射镜系统无法制造。

虽然我国已经掌握了如何制造顶级的高精度弧形反射镜系统，但由于缺乏关键的镀膜装置零部件，整个系统仍无法完全实现。

然而，在2021年7月，中科院控股企业北京中科科美成功研发出精度控制在0.1纳米以内的直线式劳埃透镜镀膜装置和纳米聚焦镜镀膜装置，满足了长春光机所对零部件的技术要求。

得益于中科科美研发的这套镀膜装置，长春光机所迅速实现了EUV级光刻机级别的高精度弧形反射镜系统的制造，为我国在EUV光刻机技术领域取得了重要突破。

在三大核心技术方面，我们已经取得了显著进展，至此已经突破了其中一个个技术难题。

还剩两个。

在2022年，哈尔滨工业大学带来了振奋人心的消息，其科研团队成功研发出真空用超高精度激光干涉仪，为一分便利达到下午五点位移测量标准差达到30平米。

这些关键指标与AML的最高水平相近，满足EUV真空双弓箭台对高速超精密激光干涉仪的精度要求。

双弓箭台本身不难制造，但其工作精度取决于激光干涉仪。因此，我国突破了真空用超高精度激光干涉仪的关键技术，为制造超高精度的真空双弓箭牌奠定了基础。

这一重要贡献是哈尔滨工业大学在2022年荣获中国光学领域最高荣誉金穗奖，并在金奖名单中位列第一。

这也解释了为何美国将哈尔滨工业大学列入制裁实体清单，并竭力遏制该学校的发展。

美国的制裁清单一项精挑细选，从不冤枉任何对象，只有那些对美国构成威胁的实体才会上榜。

至此，EUV光刻机三大核心技术的最后一项EUV光源系统，这个是核心中的核心。

光刻机的核心部件是光源，而EUV光源则是EUV光刻机的关键组件。

这种技术多年来仅美国掌握，已被列入瓦森纳协定，并且42个成员国一致对中国实施严格禁售。

即使中国能制造出其他光刻机部件，但在没有EUV级光源的情况下，其意义并不大。

在2022年下半年，有传闻称中国已成功研发出EUV光源，但并未得到官方证实。

2023年4月13日，长春光机所官网发布消息，中国科学院院士钱院长白春礼在长春光机所参观了UV光源系统。这是中国首次官方证实成功研发出UV光源系统。