二极管 VS MOS管，你的防反接保护电路选择谁？

防反接保护电路

通常情况下直流电源输入防反接保护电路是利用二极管的单向导电性来实现防反接保护。如下图1所示：

图1是一只串联二极管保护系统不受反向极性影响，二极管有0.7V的压降。这种接法简单可靠，但当输入大电流的情况下功耗影响是非常大的。   以输入电流额定值达到2A，如选用Onsemi的快速恢复二极管 MUR3020PT，额定管压降为0.7V，那么功耗至少也要达到：Pd＝2A×0.7V＝1.4W，这样效率低，发热量大，要加散热器。   另外还可以用二极管桥对输入做整流，这样电路就永远有正确的极性。如下图2所示：

图2是一个桥式整流器，不论什么极性都可以正常工作，但是有两个二极管导通，功耗是图1的两倍。    

这些方案的缺点是，二极管上的压降会消耗能量。输入电流为2A时，图1中的电路功耗为1.4W，图2中电路的功耗为2.8W。

利用MOS管的开关特性，控制电路的导通和断开来设计防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很小，解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。

MOS管型防反接保护电路

图3利用了MOS管的开关特性，控制电路的导通和断开来设计防反接保护电路。由于功率MOS管的内阻很小，现在MOSFET Rds（on）已经能够做到毫欧级，解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。

图3.NMOS管型防反接保护电路

极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联连接。保护用场效应管为PMOS场效应管或NMOS场效应管。