兆驰半导体公开UV LED技术进展

　　日前，兆驰半导体公开了一项紫外LED发明专利，该发明专利公开了一种深紫外LED外延片及其制备方法。

　　目前EQE普遍低于10%

　　据了解，此前兆驰半导体指出目前UV LED的量子效率与同族的蓝绿光LED相比在光效方面仍然存在较大的差距，且随着波长越向深紫外延伸，光效越低。而发光效率低，目前大部分UV波段的EQE普遍低于10%，远低于目前蓝光LED的水平;可靠性差，这主要是由材料质量决定。

　　值得一提的是，近两年UV LED的外延和芯片技术也已得到了大幅改善，由于蓝绿光LED产能过剩和价格压力，众多LED厂商转向UV LED，寻求新的增长动力和更高的利润率。未来的LED市场可能被划分为两部分：一部分是面向通用照明的可见光LED，另一类则是以高科技创新为特色的紫外LED。

　　UV LED外延和芯片制造存难点

　　兆驰半导体同样表示，目前UV LED外延和芯片在制造过程中仍存在难点：

　　如Al原子表面迁移率低并且扩散非常困难，同时具有较高的表面吸附能力，随着PM周期增加，由于TMAL和NH3有很强的预反应，导致SH表面coating严重，表面呈现黑色并附着力强，进而导致反应腔内温度均匀性和波动较大。