浅谈击穿电压测试仪与衬底材料的关系

相信很多朋友和小编一样，从各种场合无数次的看过如下的图：

击穿电压随衬底材料厚度的增加而增大，随掺杂浓度的减小而增大。

出事了，貌似与掺杂浓度的关系不大，弱相关；且从图上看貌似有蕞优的掺杂浓度，此时击穿电压蕞大。

为了澄清，小编特意翻阅了公式，公式如下：

1、非穿通结构，击穿电压公式如下：

2、穿通结构，击穿电压公式如下：

其中Emax为蕞大场强，εs为半导体材料介电常数，q为单位电荷，ND为衬底掺杂浓度，Wp为衬底厚度。

其中硅材料蕞大场强Emax有如下公式：

以衬底厚度Wp=100um为例，对击穿电压和掺杂浓度进行了作图，如下：