电工电路图中场效应管的符号标识

场效应管（Field-Effect Transistor）简称FET，是一种典型的电压控制型半导体器件，具有输入阻抗高、噪声小、热稳定性好、便于集成等特点，但容易被静电击穿。

场效应管有三只引脚，分别为漏极（D）、源极（S）、栅极（G）。在电工电路图中，场效应管以专用的图形符号和电路标识进行体现。场效应管在电工电路图中的标识通常分为两部分，一部分是图形符号，标识场效应管的类型，一部分是字母 数字，标识该场效应管在电路中的序号及型号等信息。

据图可知，图形符号体现出了场效应管的基本类型；引线由图形符号两端伸出，与电路图中的电路线连通，构成电子线路；电路标识通常提供了场效应管的类别、名称、序号以及场效应管型号等参数信息。

在实际应用中，场效应晶体管的类型多种多样，相对应的图形符号也有所区别，因此，了解不同类型的场效应晶体管的图形符号，对识读电工电路图有重要意义。如表所示为常见场效应管的图形符号以及外形。

结型场效应管是在一块N型（或P型）半导体材料两边制作P型（或N型）区，从而形成PN结构成。

与中间半导体相连接的两个电极称为漏极Drain（用D表示）和源极Source （用S表示），而把两侧的半导体引岀的电极相连接在一起称为栅极Gat （用G表示）。