三极管知识最详细解释版本
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"晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件" 在电子元件家族中，三极管属于半导体主动元件中的分立元件。
广义上，三极管有多种，常见如下图所示。
狭义上，三极管指双极型三极管，是最基础最通用的三极管。 本文所述的是狭义三极管。其他内容可点击以下链接：
三极管的发明 晶体三极管出现之前是真空电子三极管在电子电路中以放大、开关功能控制电流。
真空电子管存在笨重、耗能、反应慢等缺点。 二战时，军事上急切需要一种稳定可靠、快速灵敏的电信号放大元件，研究成果在二战结束后获得。
早期，由于锗晶体较易获得，主要研制应用的是锗晶体三极管。硅晶体出现后，由于硅管生产工艺很高效，锗管逐渐被淘汰。 经半个世纪的发展，三极管种类繁多，形貌各异。
小功率三极管一般为塑料包封；大功率三极管一般为金属铁壳包封。 三极管核心结构 核心是“PN”结 是两个背对背的PN结 可以是NPN组合，也或以是PNP组合 由于硅NPN型是当下三极管的主流，以下内容主要以硅NPN型三极管为例： NPN型三极管结构示意图
硅NPN型三极管的制造流程
管芯结构切面图
工艺结构特点： 发射区高掺杂：为了便于发射结发射电子，发射区半导体掺浓度高于基区的掺杂浓度，且发射结的面积较小； 基区尺度很薄:3~30μm，掺杂浓度低； 集电结面积大：集电区与发射区为同一性质的掺杂半导体，但集电区的掺杂浓度要低，面积要大，便于收集电子。 三极管不是两个PN结的间单拼凑，两个二极管是组成不了一个三极管的！ 工艺结构在半导体产业相当重要，PN结不同材料成份、尺寸、排布、掺杂浓度和几何结构，能制成各样各样的元件，包括IC。 三极管电路符号 三极管电流控制原理示意图
三极管基本电路 外加电压使发射结正向偏置，集电结反向偏置。
集/基/射电流关系： IE = IB IC IC = β * IB 如果 IB = 0, 那么 IE = IC = 0 三极管特性曲线 输入特性曲线 集-射极电压UCE为某特定值时，基极电流IB与基-射电压UBE的关系曲线。
UBER是三极管启动的临界电压，它会受集射极电压大小的影响，正常工作时，NPN硅管启动电压约为0.6V； UBE UCE增大，特性曲线右移，但当UCE>1.0V后，特性曲线几乎不再移动。 输出特性曲线 基极电流IB一定时，集极IC与集-射电压UCE之间的关系曲线，是一组曲线。 当IB=0时, IC→0 ,称为三极管处于截止状态，相当于开关断开； 当IB>0时, IB轻微的变化,会在IC上以几十甚至百多倍放大表现出来； 当IB很大时，IC变得很大，不能继续随IB的增大而增大，三极管失去放大功能，表现为开关导通。 三极管核心功能 放大功能：小电流微量变化，在大电流上放大表现出来。 开关功能：以小电流控制大电流的通断。 三极管的放大功能 |
