单片机I/O口驱动MOS管电路原理分析

为什么经常看到在使用单片机I/O口驱动MOS管时，不是使用单片机I/O口直接驱动，而是经过一级三极管，使用三极管驱动MOS管。

三极管和MOS管控制区别

三极管和MOS管在驱动上是有区别的，三极管是电流驱动，而MOS管是电压驱动，三极管的基极驱动电压只要高于Ube的死区电压即可控制三极管导通，硅材料三极管的死区电压一般为0.6V，锗材料三极管的死区电压一般为0.3V，所以控制三极管的电压对于硅材料的三极管来说只要高于0.6V左右即可，而对于锗材料的三极管来说只要高于0.3V左右即可。

而MOS管就不一样了，MOS管是电压型驱动，其驱动电压必须高于其死区电压Ugs的最小值才能导通，不同型号的MOS管其导通的Ugs最小值是不同的，一般为3V~5V左右，最小的也要2.5V，但这也只是刚刚导通，其电流很小，还处于放大区的起始阶段，一般MOS管达到饱和时的驱动电压需6V~10V左右。

实际应用

了解三极管和MOS管在控制上的区别之后，那么单片机I/O口怎么控制三极管和MOS管呢?单片机一般采用5V或3.3V供电，其I/O口高电(píng)为5V或3.3V，处理器一般讲究低功耗，如今使用3.3V供电的单片机较多，所以其I/O口高电(píng)也只有3.3V。