鼎镓半导体携国内首张6英寸高功率深紫外LED外延片亮相第九届上交会

　　近日，浙江鼎镓半导体携手相关紫外LED产品亮相第九届中国(上海)国际技术进出口交易会。如国内首张6英寸高功率深紫外LED外延片以及一系列深紫外LED芯片应用产品。

　　生产成本降到原有价格三分之一

　　据了解，鼎镓半导体于2022年1月实现了国内首张6英寸高功率深紫外LED外延的结构设计和生长流片，并完成了工艺和配方的量产调试。

　　其是在普通蓝宝石衬底的基础上，创造性的引入了全新的半导体材料与AlGaN材料结合的方式，通过超晶格结构使用两类半导体化合物材料优势互补，克服了大尺寸深紫外外延片在重铝掺杂的情况下容易出现的晶格失配的缺陷，突破了传统AlGaN外延PIN结构的限制，实现了6寸外延生产工艺的突破。

6英寸GaN深紫外LED外延片以及100mW高功率灭菌模组

　　据悉，这一实现将为鼎镓半导体单片100mW以上高功率深紫外灭菌芯片的规模量产做了基础，并有望将传统的50mW以上的单片高功率深紫外LED芯片的生产成本降低到原有价格的三分之一，同时将高功率固态半导体深紫外DUV激光器光源的研制生产变为可能。