森国科G230X系列预驱芯片的应用电路
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森国科科技股份有限公司日前发布了40V预驱芯片系列产品，该系列推出了4个型号，适用于有感BLDC、无感BLDC，有感FOC、无感FOC 及永磁同步电机等控制系统，在家电、电动按摩仪、电动工具、低压风机水泵控制等产品的使用上较为常见。
ESOP-16封装
TSSOP-20封装 01预驱芯片最高耐压可达40V，内置LDO 芯片最高耐压超过40V，推荐工作电压范围7V～36V，可有效覆盖市场上最常见的12V、24V、36V 电机应用。 芯片内置LDO，输出电压3.3V/5V可选，LDO的带载能力可达100mA，无论负载大小，LDO输出的电压稳定，效率高，随温度变化波动小，发热量低，有利于与MCU合封。在系统应用的时候，节省了一颗给MCU供电的LDO，同时还可以节省PCB布板的面积和贴片费用。 02集成度高，保护功能强大，四大保护机制 G2301B、G2311B、G2302B、G2312B的芯片内部都内置了死区时间和直通保护逻辑、输入欠压保护、过流保护、过温保护。 当G2301B和G2311B芯片温度达到160℃时触发过温保护，温度降至140℃时解除输出保护。 G2302B、G2312B芯片则是在155℃时触发过温保护机制，温度降至135℃时解除输出保护。 03上下管驱动能力基本做到了一致 森国科预驱芯片在驱动功率MOS时，G230X上下管驱动能力较为接近，上下管驱动电流都可达到200mA左右，有效解决了友商上下管电流不一致的情况。当上下管驱动电流不一致的时候，实际的驱动能力经常会被驱动电流小的上管或者下管限制住。 04抗静电能力优越 HBM可达3KV，节省了外部静电保护电路，为电机驱动系统设计减小了PCB布板面积，降低了ESD、EMI的难度。 05G2301B可驱动3P 3N功率MOS G2301B内部集成了三个半桥，可驱动3P 3N功率MOS，每一路输出均可由MCU独立控制，芯片系统框图如下：
G2301B 系统框图 06G2302B内嵌电荷泵电路，缩减应用成本 |
