MOS管防反接防过压电路图 MOS管防反接防过压电路设计方案

MOS管防过压电路

Vin正常输入电压时，稳压管没有反向击穿，R3，R4电流基本为0。（个人理解：首先对于D1这个稳压管的钳位电压一定是稍微大于电源正常的工作电压的，看做是断开的）

PNP三极管的Vbe=0，即PNP三极管不导通。

PMOS管Q4的Vgs由电阻R5，R6分压决定，PMOS管导通，即电源正常工作。

当Vin输入大于正常输入电压（过压情况下），此时Vin>Vbr（输入电压大于稳压管D1的击穿电压 ），稳压管被击穿（导通），其上电压为Vbr（此时为钳位电压）。

PNP三极管Q1导通（当电源的过电压可以在三极管的射极和基极产生一个大约0.7v的导通压降的时候），VCE≈0（三极管导通），即PMOS管的Vgs≈0（三极管导通这两极相当于短路），PMOS管不导通，电路断路，即实现了过压保护。

MOS管防反接防过压电路一体