电源防反接电路图 电源防反接电路设计方案

NMOS防反接：

PMOS防反接

在实际应用中，G极一般串联一个电阻，防止MOS管被击穿，也可以加上稳压二极管，并联在分压电阻上的电容，有一个软启动的作用。在电流开始流过的瞬间，电容充电，G极的电压逐步建立起来。

对于PMOS，相比NOMS导通需要Vgs大于阈值电压，由于其开启电压可以为0，DS之间的压差不大，比NMOS更具有优势。

保险丝防护

当电源接反时，电路中存在短路，产生大电流，进而将保险丝熔断，起到保护电路的作用。

新补充

PMOS防反接保护电路：

PMOS用作电源开关，将负载与电源连接或断开，在正确连接电源期间，MOSFET由于正确的VGS(栅极到源极电压)而导通，但在反极性情况下，栅极到源极电压太低而无法导通MOSFET并将负载与输入电源断开。

二极管的接法采用这张图片的接法

100R电阻是与齐纳二极管相连的MOSFET栅极电阻，齐纳二极管保护栅极免受过压。

MOSFET选择的主要参数

DS漏源电阻(RDS)：使用极低的RDS(漏源电阻)以实现低散热和极低的输出压降，更高的RDS将产生更高的热耗散。

D漏极电流：通过MOSFET的最大电流，如果负载电流需要2A电流，选择能够承受该电流的MOSFET。在这种情况下，漏极电流为3A的MOSFET是一个不错的选择。选择比实际需要大的参数。

DS漏源电压：DS漏源电压需要高于电路电压。如果电路需要最大30V的电压，则需要漏源电压为50V的MOSFET才能安全运行，始终选择大于实际需要的参数。反接时，MOSFET会因Vgs不足而关断，对负载电流和MOSFET都没有影响。

以上参数在正常情况下都是需要的，需要谨慎选择。

齐纳二极管电压的选择：

每个MOSFET都带有一个Vgs(栅极到源极电压)。如果栅极到源极电压增加超过最大额定值，这可能会损坏MOSFET栅极。因此，选择一个不会超过MOSFET栅极电压的齐纳二极管电压。对于10V的Vgs，9.1V齐纳二极管就足够了。确保栅极电压不应超过最大额定电压。

齐纳二极管与肖特基二极管的区别：

(1)肖特基二极管：正向导通压降0.7V左右，整流电流可达几A