中国国产黑马跻身全球前三,破冰芯片关键技术

时间:2021-09-08作者:佚名

放眼全球DDR内存领域,主流产品逐渐从DDR4转向DDR5,在这个重要关口国产黑马成功实现弯道超车,破冰芯片关键技术,还几乎摆脱了美国的一家专利流氓。

在2021年9月2日,中国芯片公司澜起科技在一场投资者会议中正式宣布,目前该公司已经成功打破了,关于DDR5工艺的内存接口以及模组配套芯片技术的瓶颈。

与此同时,澜起科技还预计会在2021年底进入量产爬坡阶段。值得一提的是,该公司所掌握的DDR5接口芯片领域已经处于行业领先水平。

中国国产黑马跻身全球前三,破冰芯片关键技术

据笔者了解,澜起科技所说的“行业领先水平”其实有些谦虚,因为现阶段全球范围内进行DDR芯片工艺研发和攻关的企业只有三家。

这三家分别是日本瑞萨电子、美国Rambus以及我国的澜起科技,如此一来,澜起科技也算是跻身全球前三。

事实上,澜起科技并非一直处于全球DDR芯片行业第一梯队,在DDR4时代到来之前,国内在这个领域长期处于被美日两国企业垄断的局面。

中国国产黑马跻身全球前三,破冰芯片关键技术

尤其是美国的那家公司Rambus,因为一直凭借专利优势压榨AMD、三星、英特尔、美光科技以及一众中国企业,所以被业内称之为“专利流氓”。

但随着大厂的崛起,以及DDR4时代的到来,包括澜起科技在内的中国企业逐渐拿回主动权,并且掌握了自主的内存芯片以及配套技术。

如今,澜起科技更是直接打破了困扰国产DDR5内存研发许久的技术瓶颈,让中国DDR内存市场不必再完全受制于美国Rambus。

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