2020年全球十大LED光源创新器件盘点
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自LED光源诞生以来，照明产业经历了一轮接一轮的科技变革，为照明用户带来了不同的灯光控制模式、不同的能源节约方式、不同的光生物特性功效……虽然LED光源技术革新带来的惠民价值足以让广大照明科研工作者引以为傲，但全球各大科研机构、企事业单位研发人员并没有停下LED光源科技继续创新的步伐。 下面，中国照明网通过对2020年全球十大LED光源创新器件的展示与解读，期待能为照明业界在产品研发创新上带来重要借鉴。 一、金属卤化物钙钛矿LED 6月，德国HZB研究中心和柏林洪堡大学(HU)的研究人员组成的联合团队成功生产出了由半导体化合物溶液印刷而成的金属卤化物钙钛矿功能发光二极管。
在该LED光源器件的制备过程中，研究人员使用了一种附着在基底上并触发了随后钙钛矿层的网格形成的盐晶体作为引诱剂或催化剂，让印刷在基材上的盐样前体快速、均匀地结晶，克服了以往不能从液态溶液中生产出高质量LED半导体层的难关，创造出了比以前使用增材制造工艺所具有的更高的发光度和更好的电性能的印刷LED。 通过HZB和HU研究人员的喷墨印刷制备工序，所产出的一、金属卤化物钙钛矿LED有望产生特别高的发光效率，提升照明产品光品质的同时，还为日后更高光效LED光源电子组件的诞生提供技术借鉴。 二、无荧光粉白色半极化LED 同月，美国加州大学圣塔芭芭拉分校(University of California, Santa Barbara，UCSB)研究团队与诺贝尔奖得主中村修二共同开发出了一种制造无荧光粉白色半极化LED的新方法。该LED器件诞生后，可望将其作为背光源使用。
研究过程中，研究团队在块状氮化镓衬底上采用蓝色量子阱(顶部)和黄色量子阱(底部)生长出无荧光粉的白色InGaN(铟镓氮)LED，这些LED发射波长峰值为427mn的蓝光及560nm的黄光，输出功能为0.9mW，克服了由荧光粉转换而来的白色LED能量损耗及热稳定性下降等问题。 研究团队认为，无荧光粉的高效LED作为背光源的前景可期，有望实现用于可见光通讯LiFi中的Micro LED。 三、深蓝色磷光OLED 同月，韩国釜山国立大学(Busan National University)教授金圣浩(Jin Sung-ho)领导的研究团队研发出了一种深蓝色磷光OLED材料和装置，与荧光材料相比，这种材料具有优越的外部量子效率和现场照明特性。 研究团队通过调整掺杂浓度来优化OLED发光层内部电子和气孔之间的浓度不平衡，解决了低亮度和效率问题。研究人员还通过控制发光层中的电子和气孔的浓度，实现了24%的效率。 该OLED材料和装置的出现，填补了同类型器件效率及亮度低下的缺点，满足NTSC的蓝色标准，为照明及显示产品的高品质应用带来强大源动力。 四、远红/近红外光OLED 7月，英国纽卡斯尔大学、伦敦大学学院、伦敦纳米技术中心、波兰科学院有机化学研究所(波兰华沙)和国家研究委员会纳米结构材料研究所(CNR-ISMN，Bologna，Italy)的科学家们创造了远红/近红外溶液处理的新型OLED。
通过将设备集成到实时VLC装置中，该OLED器件达到了超过1 Mb / s的无错误传输速度，成功地扩展了带宽，并为有机发光二极管实现了有史以来最快的数据速度。 从物联网应用的角度来看，该OLED器件实现的数据速率足以支持室内点对点链路，为新型物联网(IoT)连接以及可穿戴和可植入生物传感器技术创造了机遇。此外，由于有机发光二极管的活性层中没有有毒的重金属，拥有该OLED器件的新VLC装置有望集成便携式、可佩戴或可植入的有机生物传感器。 五、高效纳米级LED 8月，美国国家标准与技术研究所(NIST)、马里兰大学和伦斯勒理工学院等高效科研人员开发出了一种具备产生激光能力的新型纳米级发光二极管(LED)。该LED器件的亮点是其亮度，为传统亚微米级LED的100~1000倍。
该LED器件制作过程中，虽然其使用的材料与传统LED装置相仿，但科研人员对其内部架构进行改进，并引入了氧化锌翅片，利用该翅片细长的形状和较宽的侧面或许能够接收更多电流，让改LED器件能发射出包括紫光至紫外光的明亮光线，产生高达20微瓦的功率，是一般小型LED的成百上千倍，成为了名副其实的微型激光器。 该LED器件凭借着其高光效，在化学传感、便携式通信产品、高清显示器和芯片级设备等方面都有重要应用价值。 六、高性能红光QLED 11月，中国科学院长春应用化学研究所和云南大学丁军桥团队采用有机电子传输层来替代传统的ZnO无机电子传输层，成功地组装出高性能的红光量子点发光二极管(QLED)。
器件研制过程中，该研究团队选择含氮杂环类化合物作为有机电子传输层，同时通过能带工程，对中心核的分子结构进行微调。当中心核从苯环变到嘧啶和三嗪时，最低未占据分子轨道(LUMO)能级从-2.28 eV增加到-2.79 eV和-3.07 eV，电子注入能力逐渐增强。最终，以三嗪为中心核的有机电子传输层TmPPPyTz实现了最优的载流子平衡性，器件外量子效率(EQE)高达13.4%(18.8 cd/A，23.9 lm/W)，CIE色坐标为(0.68，0.32)。 该QLED器件的成功制备，将为照明及显示产品光学品质的提升带来重要的应用价值。 七、高光效InGaN基橙—红光LED 同月，中国南昌大学的江风益院士课题组研制出了最新的高光效InGaN基橙—红光LED。
该LED器件研制过程中，课题组基于硅衬底氮化镓技术，引入了铟镓氮红光量子阱与黄光量子阱交替生长方法，并结合V形坑技术，从而大幅缓解了红光量子阱中高In组分偏析问题，再依据V形p-n结和量子阱带隙工程大幅提升了红光量子阱中的辐射复合速率，让制备出的InGaN基橙-红光LED在发光波长分别为594、608和621 nm时，功率转换效率分别为30.1%、24.0%以及16.8%，光效相较于过往相同波段InGaN基LED整体提高了约十倍。 |
