安徽出台涉及衬底及芯片制备技术的深紫外LED相关政策

　　日前，安徽省经济和信息化厅为加快突破制约制造业发展的关键、共性技术瓶颈，促进制造业高质量发展，出台了《制造业重点领域产学研用补短板产品和关键共性技术攻关指导目录(2021)》。其中，关于深紫外LED则是专用图形化衬底及芯片制备技术的研究及产业化。

　　据了解，深紫外LED专用图形化衬底及芯片制备技术的研究及产业化具体规划主要研究种适用于AlN和高铝组分AlGaN 紫外LED芯片外延生长的纳米图形化蓝宝石衬底，解决UVC半导体外延工艺、提升杀菌效率、改善散热三个问题。

　　其主要技术目标是如实现图形尺寸均匀分布的纳米级图形化衬底制备，其具体图形尺寸：上(下)孔径为700-1000(100-300)nm，深度为300-650nm，周期1-1.4μm的微结构，均匀性小于3-5%。

　　二是采用纳米级图形化衬底，实现AlGaN量子阱的发光波长在280 nm以下(发光波长260～280nm)，内量子效率大于50%。另外在制备紫外LED芯片结构方面，实现电致发光波长280 nm以下，芯片外量子效率大于3%，输出光功率达10mW以上。"等问题。

来源：UVLED风向