InGaN基红光、单片集成、量子点

　　处于发展初期的Micro LED演进空间巨大，这不仅包括产业，同时也包括了技术的发展。

　　一方面被视为未来显示技术“终结”的Micro LED正成为LED企业，乃至于面板厂、TV厂商们加速布局的关键市场。

　　另一方面，技术不成熟带来的低良率和高成本以及亟待完善的产业链配套体系在很大程度上制约着Micro LED的产业化。

　　此前成都辰显光电副总经理王程功就表示，随着研究的进一步深入，发现Micro LED从芯片，巨量转移，检测，修复到模组都有很多有挑战性的技术难点。

　　在这其中，巨量转移和红光效率低是Micro LED发展目前面临的两大关键瓶颈。

　　事实上，不管是产业界还是学术界一直都在致力于解决这两大关键性问题。

　　近日，Micro LED企业Porotech宣布成功开发出全球首款天然红InGaN（氮化铟镓）基Micro LED显示器。

　　这款InGaN基Micro LED显示器正是基于Porotech此前开发的一种新型多孔GaN半导体材料。

　　在这款材料的技术上，Porotech在去年11月就推出了全球首款商业化的Micro LED用天然红光LED外延产品。直到推出了全球首款天然红InGaN基Micro LED显示器。

　　Porotech方面的信息显示，InGaN基Micro LED显示器能够最大限度地将可实现的波长提升至640nm或更高，极大改善了产品的性能。