土耳其科什大学研究人员：一种无镉高效量子点及其在LED中的应用

由于电子和空穴波函数的分离，II型纳米晶量子点（QD）的量子产率较低，这是一个普遍接受的观点。最近，报道了基于镉的II型量子点的高量子产率。因此，寻找无毒高效的II型量子点的探索仍在继续。

在此，来自土耳其科什大学的研究人员展示了环境友好的II型InP/ZnO/ZnS核/壳/壳量子点，其量子产率高达91%. 通过热分解在InP量子点上生长ZnO层，然后通过连续的离子层吸附在ZnS层上。为了在器件结构中保持量子点的量子效率，InP/ZnO/ZnS量子点以液态集成在蓝光发光二极管（led）上，其外部量子效率分别为9.4%。这项研究指出，无镉II型量子点可以达到高效率水平，这可以刺激用于生物成像、显示和照明的新型器件和纳米材料。相关论文以题目为“Cadmium-Free and Efficient Type-II InP/ZnO/ZnS Quantum Dots and Their Application for LEDs”发表在ACS Applied Materials Interface期刊上。

论文链接：

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/aCSAmi.1c08118?ref=pdf

半导体纳米晶（NC）量子点（QD）在发光器件。太阳能电池等领域引起了广泛关注。由于量子限制效应，它们显示出可调谐发射颜色、高光化学稳定性和溶液可加工性等有利性质。特别是，高光致发光量子产率（PLQY），定义为发射的光子数与产生的激子总数之比，是一个关键数字。为了获得高PLQYs，I型量子点是研究最广泛的异质结构，它具有跨接排列，将电子和空穴定位在核心内。或者，II型量子点在不同材料中具有导带和价带极值，人们普遍认为II型量子点会导致低PLQY。