研究人员在新型碳基二维半导体材料研究中获进展

10 月 30 日消息，据中国科学院官网，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究人员与华东师范大学研究员袁清红团队等在新型碳基二维半导体材料研究中获进展。

以石墨烯为代表的碳基二维材料自发现以来受到了广泛关注。不过，石墨烯的零带隙半导体性质严重限制了其在微电子器件领域的应用。

研究人员通过近 5 年努力，借助实验技术与理论研究，在双层 C3N 的带隙性质、输运性质等研究领域取得突破，进一步证明双层 C3N 在纳米电子学等领域的重要应用潜力。