研究人员利用半导体材料中的固有缺陷来产生长波光

（图片来源：smart.mit）

氮化铟镓（InGaN）LED是一种基于第III族元素氮化物的发光二极管（LED），于20多年前（90年代）首次制造问世，此后演变得越来越小，同时越来越强劲、高效和耐用。如今，InGaN LED在众多工业和消费应用案例中随处可见，包括信号、光通信和数据存储；并且在高需求消费应用中发挥重要作用，如固态照明、电视机、笔记本电脑、移动设备、增强现实（AR）和虚拟现实（VR）解决方案等。

20多年来，对这类电子设备的需求不断增长，由此推动相关研究发展，以获得更高的半导体光输出、可靠性、寿命和多功能性，进而产生对能发出不同颜色光的LED的需求。在现代LED中，通常使用InGaN材料来产生紫光和蓝光，而另一种半导体磷化铝镓铟（AlGaInP）用于产生红、橙和黄光。这是由于InGaN在红色和琥珀色光谱中表现不佳，因为需要更高含量的铟，而导致效率降低。此外，这种具有相当高铟浓度的InGaN LED，很难使用传统的半导体结构制造。因此，实现全固态白光发光设备（需要三种基色光），这一目标仍未达成。