新洁能拟定增募资不超过14.5亿元，用于第三代半导体功率器件及封测等项目

据其在公告中表示，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体典型材料，其研究与应用是目前半导体研究的前沿和热点，是行业未来发展的主流趋势。

第三代半导体SiC/GaN具有禁带宽度大、击穿电场强度高、电子迁移率高、热导电率大、介电常数小和抗辐射能力强等特点，具有强大的功率处理能力、较高的开关频率、更高的电压驱动能力、更小的尺寸、更高的效率和更高速的散热能力，可满足现代电子技术对高温高频、高功率、高辐射等恶劣环境条件的要求。

在部分高端下游应用领域，宽禁带半导体功率器件具备不可替代的优势，切合节能环保、智能制造、信息安全等国家重大战略需求，已成为支撑新一代移动通信、新能源汽车、高速列车、航海航空等产业自主创新发展和转型升级的重点核心电子元器件。

其强调，通过本募投项目的实施，有助于公司顺应半导体功率器件行业发展趋势，提前布局SiC/GaN宽禁带半导体功率器件产品，实现公司产品结构升级，从而进一步强化公司在半导体功率器件高端应用市场的核心竞争力。