2021年两院院士增选结果揭晓，其中四人研究领域跟照明相关！
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11月18日，中国科学院、中国工程院院士增选结果揭晓。2021年中国科学院选举产生了65名中国科学院院士和25名中国科学院外籍院士。中国工程院新增产生84位中国工程院院士和20位中国工程院外籍院士。 据悉，跟照明领域相关的入选院士为四人，分别是：清华大学罗毅教授当选为中国工程院信息与电子工程学部院士;东北师范大学校长刘益春、中国科学院半导体研究所郑婉华、祝宁华研究员当选中国科学院信息技术科学部院士。
罗毅，男，出生于1960年2月，1983年毕业于清华大学无线电电子学系电子物理与激光专业。清华大学教授，工学博士。 2021年4月23日，入选中国工程院2021年院士增选有效候选人名单， 6月2日，进入第二轮评审候选人名单。2021年10月18日当选中国工程院院士。 罗毅分别于1987年和1990年在日本东京大学工学部电子工学科获工学硕士与博士学位，1990年4月-1992年3月在日本光计测技术开发株式会社中央研究所任研究员。1992年4月回国，同年因学术成就突出被破格提升为清华大学电子工程系教授，1995年晋升为博士生导师。现担任集成光电子学国家重点联合实验室主任、清华大学实验区主任(该重点实验室在2002年由科技部组织的包括计算机、软件、信息材料与器件等所有36个信息类国家重点实验室的评估中获第一名)。曾任国际电机电子工程师学会主办的量子电子学杂志编委(Associate Editor of IEEE Journal ofQuantum Electronics，1996-1998)。 2002年，罗毅教授负责的2500万元的GaN蓝光发光管的研究与开发项目通过了鉴定;建设了包括德国AIXTRON公司MOCVD设备在内的GaN材料与器件研究基地，自行研制的蓝色发光二极管获得突破，15000余个器件的测试结果表明，器件的典型工作特性与国际上高亮度发光二极管的市场水平基本相当。 2003年，正式在深圳研究生院建立了以罗毅教授为实验室主任的半导体照明实验室，主要从事大功率照明用LED的封装技术研究，从而建成了从芯片外延到器件封装的一整套研究平台。科技部启动了半导体照明工程后，罗毅教授被选为专家组成员。 罗毅教授主要从事半导体光电子器件方面的研究工作，其中包括器件物理与设计，化合物半导体材料的外延生长技术、全息光栅的制作技术、器件制作工艺技术、材料与器件特性的评价技术。 近几年来的研究重点是分布反馈半导体激光器及单片光子集成器件，是增益耦合DFB激光器——国际公认的优秀光源的开创者之一，他也是国内最早从事DFB激光器与电吸收调制器单片集成研究的科学家。
刘益春，男，汉族，1962年12月生，吉林辉南人，中共党员，教授，博士生导师，中国科学院院士。第十二、十三届全国人大代表，中国高教学会常务理事、高等教育管理研究会副会长，第四届全国教师教育课程资源专家委员会主任委员, 第七届教育部科技委数理学部委员，国务院学位委员会第八届学科评议组成员，吉林省科协副主席。现任国际发光会议(ICL)程委会委员(2020大会主席)，国际II-VI族化合物材料会议顾委会委员，中国科学院长春光机所发光与应用国家重点实验室学术委员会委员，浙江大学硅材料国家重点实验室学术委员会委员，中国真空学会常务理事，《InfoMat》副主编，吉林省照明学会第二届专家委员会副主任委员、专家库专家。国家杰出青年科学基金获得者，中国科学院百人计划，教育部跨世纪优秀人才，全国模范教师。 研究主要集中在：光电子功能材料与器件;低维体系材料与物性;存储材料与器件;纳米生物学效应与应用;光电转化材料与器件;新型导电材料与物性等。 发明了热氧化Zn3N2单晶薄膜制备p型ZnO的方法，成功制备出p型ZnO薄膜，该方法已被国际公认为制备p-ZnO的方法之一;利用微腔的光增益效应和纳米结构的量子限制效应，获得了在高温下(560 oC)仍具有高效紫外发射的纳米薄片材料，深入研究了材料的结构与高压相变行为，为进一步研制高温光电子器件奠定了基础;通过在p-GaN/n-ZnO异质结中引入i-ZnO层, 构造p-GaN/i-ZnO/n-ZnO新型结构，成功研制出室温近紫外发射的ZnO异质结紫外发光二极管。 |
