中民研究院常务副院长闫春辉博士:维持Haitz定律:超高电流密度下改善高功率

时间:2021-12-13作者:佚名

中民研究院常务副院长闫春辉博士:维持Haitz定律:超高电流密度下改善高功率GaN基LED的Droop效应

中民研究院常务副院长闫春辉博士:维持Haitz定律:超高电流密度下改善高功率GaN基LED的Droop效应
广东中民工业技术创新研究院有限公司常务副院长闫春辉博士

LED的Droop效应是指向芯片输入较大电力时LED的光效反而会降低的现象。Droop效应决定了单个LED所能工作的最大电流,因而要实现大光通量必须采用多颗LED或多芯片,或者通过采用增加芯片面积的方式而减少电流密度的方法,这就会导致高功率LED器件的成本大幅增加。在LED业界和学术界,Droop效应一直是大家争相研究和攻克的技术难题。

期间,“SSLCHINA 2021:半导体照明芯片、封装、模组及可靠性”分论坛由广东中民工业技术创新研究院有限公司、旭宇光电(深圳)股份有限公司、有研稀土新材料股份有限公司、江苏博睿光电有限公司联合协办支持。会上,广东中民工业技术创新研究院有限公司常务副院长闫春辉博士现场介绍了“维持Haitz定律:超高电流密度下改善高功率GaN基LED的Droop效应”最新研究成果报告。

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