苏州纳米所刘建平团队研制国产GaN基绿光激光器性能再突破！

文章采用各种光学测量手段对绿光LD结构和芯片进行了表征。（文章信息：Tian, A., Hu, L., Li, X. et al. Greatly suppressed potential inhomogeneity and performance improvement of c-plane InGaN green laser diodes. Sci. China Mater. (2021). https://doi.org/10.1007/s40843-021-1804-x）

（a）器件结构 （b）外延结构

（c）绿光LD垂直于p-n结的光分布示意图

表征的结果显示，激发功率密度为7 W cm-2时, 300 K下光致发光半高宽为108 meV, 电流密度为20 A cm-2时, 电致发光半高宽为114 meV, 这些研究结果表明势能均匀性得到了显着改善。同时, 由变温光致发光测试得到的表征局域态分布宽度的σ值和由时间分辨光致发光测试得到的表征激子局域带尾态的E0值都很小, 进一步表明势能均匀性很好。由于势能均匀性的极大改善, 实现了斜率效率0.8 W A-1, 输出光功率可以达到1.7 W的绿光LD芯片。