国家第三代半导体技术创新中心研发与产业化基地开工

　　1月4日，国家第三代半导体技术创新中心研发与产业化基地在苏州工业园区开工建设。项目总投资超18亿元，带动投资预计超50亿元，计划2023年12月底竣工。

　　据悉，国家第三代半导体技术创新中心研发与产业化基地项目位于苏州纳米城，首期占地105亩，总建筑面积超20万平方米。该基地由苏州纳米科技发展有限公司建设，首期包括国家第三代半导体技术创新中心，及东微半导体总部、汉天下研发中心和镭明激光研发中心总部等部分定建企业。

　　该项目将布局建设支撑第三代半导体创新发展的3万平方米高标准洁净厂房，以及化学品库、废水处理站、110千伏电站等配套设施，8英寸BAW(体声波)滤波器及射频模组生产线，半导体高端激光研究中心，晶圆与器件性能测试研发工程中心。