A*STAR微电子研究所和Soitec开展研究合作，共同开发下一代碳化硅半导体
时间：2022-01-12作者：佚名
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1月10日，新加坡科学、技术和研究机构(A*STAR)的微电子研究所(IME)和法国半导体材料公司Soitec宣布开展研究合作，开发下一代碳化硅(SiC)半导体器件，为电动汽车和先进高压电子设备提供动力。双方将利用Soitec的专有技术，如Smart Cut?和IME的试验生产线来制造直径为200 mm的SiC半导体基板。 此次联合研究将有助于开发一个整体的SiC生态系统，并提高新加坡和巴黎的半导体制造能力。该研究合作计划于2024年年中完成，旨在实现： |
