苏州东微半导体即将登陆科创板

公开资料显示，东微半导是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，其产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。公司凭借优秀的半导体器件与工艺创新能力，集中优势资源聚焦新型功率器件的开发，是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一，并在应用于工业级领域的高压超级结、中低压SGT功率器件、IGBT芯片领域实现了国产化替代。从公司的公开资料中可以看出东微半导更多地强调其技术的原创性，并依托对器件结构和工艺的创新凸显产品的领先性，在国内众多功率半导体厂商中独树一帜。

专注工业及汽车市场，人均产值超千万元

近年来，碳中和、碳达峰、新能源汽车、5G和云计算等新技术应用需求迎来了爆发性增长，而功率半导体是在上述应用中实现电能转换的核心基础元器件。公开信息显示，东微半导的业务大多来自于工业级和汽车相关应用。业内周知，相对于消费电子市场，工业及汽车市场对芯片的性能和品质要求更高，存在着较高的技术壁垒。在功率器件领域，应用于新能源汽车的芯片基本被进口芯片品牌垄断，仅极少数国内芯片供应商能够进入上述领域，而东微半导便是其中的佼佼者。经过多年验证，2021年公司产品开始批量进入比亚迪新能源车，成功进军车载芯片市场。

招股书披露，东微半导预计2021年度营业收入为7.72亿元至8.03亿元，同比增长150%至160%；预计2021年度归属于母公司所有者的净利润为1.32亿元至1.53亿元，同比增长377%至453%；预计2021年度扣非后的净利润为1.27亿元至1.47亿元，同比增长522%至620%。2021年公司业绩暴增的主要原因是受益新能源汽车充电桩、通信电源以及光伏逆变器的需求暴增。

招股书显示，截至2021年6月30日东微半导的研发人员占比46%，按其员工数推算，预计人均产值超过1000万元，属于典型的技术密集型芯片设计高科技公司。

中国半导体协会魏少军曾公开表示，2021年我国芯片设计业从业人员约为22.1万人，人均产值207.6万元。东微半导的人均产值约是国内芯片设计行业人均产值的5倍，处于行业领先水平。

人均产值远高于同行水平，离不开东微半导优秀的研发团队。东微半导创办于2008年，王鹏飞和龚轶是公司联合创始人和联合实控人，两人都有在国外留学与工作的经历，有丰富的集成电路产业经验。其中，CTO王鹏飞博士曾担任复旦大学微电子学院教授十余年，在学术方面也有一定的知名度。

据公开资料显示，早在2013年8月，王鹏飞博士就曾联合东微与复旦大学在美国顶级期刊《Science》上合作发表过关于一种新型微电子元器件的重量级论文，并因此被新闻联播、人民日报、文汇报等权威媒体头条报道。

美国《Science》期刊是全球最著名的科技期刊，也是国际上最具代表性、知名度和权威性的综合性学术期刊之一，享有极高的学术声誉和世界影响力。在此之前，中国企业从未在《Science》上发表过微电子器件方面的研究论文，而东微半导能够在如此高级别的学术期刊上发表论文，反映了公司在微电子基础元器件方面强悍的创新能力。东微半导的研发团队专注深耕新型微电子器件领域，通过对半导体器件技术的底层创新为公司的长期高质量发展铸造起极深的技术护城河。

打造王牌产品，性能优于国际同行

通过查阅招股书，集微网发现了东微半导的众多技术亮点，包括国际领先的超级结 MOSFET、超级硅MOSFET技术、业内独创的Tri-gate IGBT技术以及Hybrid-FET器件技术等。

据了解，高压超级结MOSFET是东微半导的王牌产品，也是其功率分立器件领域中占比最大的产品，高压超级结MOSFET器件具有高频、易驱动、功率密度高等特点，应用领域非常广泛，涵盖通信、汽车电子、工业控制、光伏、储能、智能电网、消费电子等领域。

不过，长期以来，高压超级结MOSFET市场主要被进口厂商占据，国内高性能高压超级结MOSFET功率器件市场占比较小。在此情况下，东微半导自成立以来积极投入对高压超级结MOSFET产品的研发，并得到了华为、比亚迪、特锐德、通用电气、视源股份、英飞源、英可瑞、高斯宝、金升阳、雷能、美的、创维、康佳等全球知名客户的认可，取得良好的市场口碑。

2016年4月14日，人民日报刊登了东微半导的高压超级结MOSFET在充电桩用高压高速核心半导体器件领域首次实现国产化的报道，确定了东微半导在充电桩功率器件领域“国产第一芯”的地位。

招股书显示，东微半导最先进的高压超级结产品OSG65R017HT3F的导通电阻为14mohm，与国际领先品牌英飞凌最小的导通电阻15mohm处于相似水平，而公司产品的650V耐压要高于英飞凌的600V耐压，综合性能优势明显。对于MOSFET而言，导通电阻是一个重要的性能参数，该数值越小，MOSFET工作时的功率损耗越小，也越能体现公司的技术创新能力。