昕原半导体28/22nm ReRAM 12寸中试线通线试产

近日，杭州昕原半导体主导建设的国内首条28/22nm ReRAM（阻变存储器）12寸中试生产线顺利完成自主研发设备的装机验收工作，实现了中试线工艺流程的通线，并成功流片（试生产）。

昕原半导体成立于2019年，专注于ReRAM新型存储器产品及相关衍生产品的研发，已成长为国内新型存储器技术的头部企业，也是国际上新型存储器产品商业化最快的公司。公司开发的ReRAM存储器具有密度高、能耗低、读写速度快及下电数据保存的特点，可形成未来存储架构的最后一级缓存（FLC，Final Level Cache），消除内存与外存间的“存储墙”。作为最具潜力的下一代主力存储器，ReRAM能广泛应用于人工智能、工业控制、消费电子、汽车、物联网、云计算等领域。

图源：昕原半导体

据杭州日报报道，传统CMOS代工厂或因囿于资源所限，迭代速度较慢，从而影响工艺开发进度，而国内各大科研院所虽可在实验室阶段加快迭代速度，但没有标准的12寸量产产线，实验成果往往很难走向量产。昕原自行搭建的28/22nm ReRAM（阻变存储器）12寸中试生产线就解决了上述问题。汲取了代工厂和实验室的长处，迭代速度快，产线灵活，拥有自主可控的知识产权，使得ReRAM相关产品的快速实现变成了可能。

昕原半导体相关负责人表示，目前在ReRAM领域国内外差距较小，壁垒尚未形成，为我国存储器产业实现“弯道超车”提供了可能。目前该公司是除台积电外，唯一一家在28nm/22nm先进制程ReRAM实现量产的公司。