英诺赛科完成近30亿元D轮融资

2月17日，半导体晶圆片及芯片研发商英诺赛科完成近30亿元D轮融资，本轮融资由钛信资本领投，毅达资本、海通创新、中比基金、赛富高鹏、招证投资等机构跟投。钛信资本作为本轮领投方，本轮出资6.5亿，占比超过20%，也是投资金额最大的投资人。

英诺赛科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高新技术企业。公司采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体，拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力。公司的主要产品涵盖从低压到高压（30V-650V）的氮化镓功率器件，产品设计及性能均达到国际先进水平，目前与小米、OPPO、比亚迪、安森美、MPS等国内外厂商开展应用开发合作。

钛信资本创始人高毅辉表示：氮化镓作为一种新型半导体材料，是一个崭新的领域，也是为数不多与国外差距不大、我国最有可能实现弯道超车的领域之一，市场前景非常广阔。英诺赛科是氮化镓领域全球龙头，在团队、技术、产能、客户等方面都已达到领先的位置。英诺赛科由原美国宇航局（NASA）科学家骆薇薇博士带队，聚集了来自全球知名半导体企业的氮化镓领域全球顶尖人才，具备丰富的研发、建厂、制造（工艺）和运营经验。公司成立不久就建成中国首条8英寸硅基氮化镓生产线，目前已经开始实现大规模量产，产能国内第一，还在持续快速爬升，公司客户开拓进展也远领先于竞争对手。随着氮化镓应用市场迎来快速增长，我们非常看好公司的成长潜力，将以充足的支持助力其全面发展。