晶盛机电：中试线产出的6英寸碳化硅衬底达到或者优于业内技术水平
时间：2022-02-28作者：佚名
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2月24日，晶盛机电（300316）发布公告称：碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，具有高禁带宽度、高电导率、高热导率等优越物理特征。碳化硅衬底是宽禁带半导体的核心材料，以其制作的器件具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点，具有开关速度快、效率高的优势，可大幅降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积。主要应用于以5G通信、航空航天为代表的射频领域和以新能源汽车、“新基建”为代表的电力电子领域，具有明确且可观的市场前景。
碳化硅衬底制作的技术门槛较高，良率低，成本较高制约其发展，导致行业的整体产能远不及市场需求。公司的技术优势主要体现在：
①持续的设备研发能力。公司是国内晶体生长设备龙头，同时深耕半导体大硅片加工设备领域多年，公司的晶体生长设备及加工设备均主要使用自研设备，公司不断进行调试、提升设备性能，促进设备和工艺的高效融合。
②丰富的硬脆材料加工经验。碳化硅与蓝宝石在加工技术上具有较强的技术通用性。公司在硅和蓝宝石材料的切割、研磨、抛光等关键设备上均有较强的技术基础，已在半导体硅材料和蓝宝石加工设备领域得到市场认可。
③成熟的规模化长晶经验。公司长期围绕硅、蓝宝石和碳化硅三种晶体材料开展业务，在热场设计、热场仿真和工艺研发方面具有丰富的经验。公司在蓝宝石领域已具备上千炉台集中控制的大规模生产经验优势，产品具有优良的品质稳定性和低成本优势，可移植到碳化硅衬底材料的生产中。
④主要技术指标达到或优于业内技术水平。目前公司中试线产出的6英寸碳化硅衬底在直径、多型面积、电阻率、弯曲度和翘曲度均达到业内指标范围，衬底片总厚度变化率（TTV）可稳定达到＜3μm，微管密度（MPD）可稳定达到<0.2/cm2，达到或者优于业内技术水平。
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