宽禁带半导体作为重点新材料的主要优势

宽禁带半导体为第三代半导体，其典型代表有氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)，而第二代半导体代表有硅(Si)和砷化镓(GaAs)，第三代和第二代相比，宽禁带半导体的优点更为突出。

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宽禁带半导体主要4种优点：

1、宽禁带半导体材料禁带宽度大，击穿电场强度强，能够承受的峰值电压大幅提升，器件的功率也得到大规模提升。