一起来分析肖特基二极管与这个二极管的区别

1、开关二极管是利用二极管的单边导电率，在半导体材料PN结再加上正向偏压后，在导通情况下，电阻不大(几十到几百欧);再加上反向偏压后截止，其电阻非常大(硅管一般在100MΩ之上)。利用开关二极管的这一特点，在电路中具有操纵电流量根据或关闭的功效，变成一个理想化的开关元件。开关二极管的正向电阻不大，反向电阻非常大，电源开关速率速。

2、肖特基二极管则是利用金属材料和半导体材料面触碰造成的势垒(barrier)整流功效，这一表面我们称之为“金属半导体结”，其全称应该是肖特基势垒二极管，通称为肖特基二极管。目前肖特基二极管大部分是用硅(Si)半导体器件制作的。从上世纪90年代至今，出现了用砷化镓(GaAs)制作SBD。Si-SBD的特性是：正向压降PN结二极管的UDF低，仅为后面一种的1/2～1/3;trr大约是10ns量级;适用于低压(低于50V)的输出功率电子器件电路中(当电路工作电压高过100V以上时，则要采用PIV高的SBD，它的正向电阻将扩大不少)。