具有隐埋型场阻 (FS)层IGBT的特性研究

目前，绝缘栅双极晶体管(IGBT)作为新一代的电力半导体器件，已占领了诸多应用领域。特别是具有场阻止层的IGBT（FS-IGBT），其电压等级覆盖了600V~6.5kV 范围^[1]，为IGBT提供了更宽广的应用领域。采用FS-IGBT可以获得良好的正向阻断特性、导通特性及开关特性。但当IGBT应用在矩阵变流器、电流型逆变器及交流开关等场合，其反向阻断电压也尤为重要^[2]。由于J1结两侧透明阳极和场阻止层的浓度较高，导致其反向击穿电压很小，在这些应用中很容易损坏IGBT。