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6月20日，由长江存储执行的国家存储器产业基地新项目二期在湖北省武汉市东湖高新区开始动工。据了解，该存储器基地项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设。

据紫光集团兼长江存储企业老总赵伟国详细介绍，该存储器基地项目计划分两期建设3D NAND闪存芯片加工厂，存储器一期整体规划产能每个月十万片，存储器二期将达到二十万片，整体项目投资240亿美金。

从2016年底该存储器新项目一期宣布动工开始建设，现阶段32层、64层存储芯片商品已经完成平稳批量生产，并取得成功研发出全世界第一款128层QLC三维闪存芯片，已在好几家控制板生产商SSD等终端设备存储产品上通过认证。

存储芯片有希望加快半导体国内生产制造的趋势