赛微电子子公司10亿元硅基氮化镓功率器件项目落户山东青州

　　4月1日，北京赛微电子股份有限公司(以下简称“赛微电子”)发布公告称，其控股子公司青岛聚能创芯微电子有限公司(以下简称“聚能创芯”)拟与山东嘉俊投资管理有限公司签订《投资协议》，共同投资设立青州聚能国际半导体制造有限公司(暂定名，以下简称“聚能国际”)。

　　聚能国际主要从事6-8英寸GaN芯片的晶圆制造，将在租赁现成土地厂房的基础上进行适应性补充建设，且已经锁定成套热线设备、目标是在2021年内建成并做好投产准备。

　　赛微电子与青州市人民政府签署了合作协议。斥资10亿元，拟在在青州经济开发区分期建设聚能国际6-8英寸硅基氮化镓功率器件半导体制造项目。

　　据悉，项目总占地面积30亩，一期建成投产后将形成6-8英寸GaN芯片晶圆5,000片/月的生产能力，二期建成投产后将形成6-8英寸GaN芯片晶圆12,000片/月的生产能力。

　　项目一期计划建设周期为9个月，2021年底前做好投产前准备，2022年上半年投入生产，一期产能投产达效后预计可新增年销售收入5亿元，利税8,000万元。

　　第三代半导体材料主要包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、金刚石等，因其禁带宽度(Eg)大于或等于2.3电子伏特(eV)，又被成为宽禁带半导体材料， 与第一、二代相比，第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子 速率等优点，可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。