关于新型存储器 跟小编一起来了解一下吧

这么多年来，存储器厂家一直都在尝试在单个封裝中集成动态随机存储器(RAM)和闪存存储器(NAND)的共同优点，但是一直以来在存储器技术上并没什么大的进展。新型非易失性存储器，是近年来最有希望成为存储器技术性突破的一个重要存储器。新型非易失性存储器具有类似与随机存储器的运性速率、及闪存存储器的断电非易失特性。可以瞬间开启、并且可以从上次断开的位置恢复，为即时(Instand-On)PC的来临而铺平道路。

常常关注存储器技术的小伙伴，肯定多多少少都有听说过几种可以使随机存储器和固态硬盘运行速度更快、更密集、更节能的新技术。

另外有一些研究尝试促进“运行内存中计算”的方式，可以从源头上清除了数据在处理器、内存等构件之间来回所造成的性能滞后。

上面所说的想法都要根据以下的事实，就是要将数据载入动态随机存取存储器，是一种速度很快且环保节能的方案。但是一旦关闭电源或者断电，数据的完整性就无法保存。除此之外系统还必须持续更新数据，这样的话就会造成效率并不是很高。

另一方面，NAND是一种相对不错的数据储存方法，仅仅只是数据载入和擦除的速度太慢，造成数据存储器性能降低，根本就没有办法替代目前的动态随机存取存储器。

最近有个好消息是，英国的兰开斯特大学的科学研究人员称，他们已经制造出了一种新型的非易失性存储器——速率可与动态随机存取存储器相比，载入能耗却仅为百分之一。

这一项新技术性被称之为UK III-V存储器，其根据20nm 光刻工艺生产制造，载入所需要的时间仅为5ns(与动态随机存取存储器差不多)，且提供了类似闪存存储器的简单载入特性。