我国最新的50纳米芯片正式生产 一起看看吧

据武汉新芯集成电路制造有限责任公司消息称，其自主研发的50纳米浮栅式代码型闪存(SPI NOR Flash )芯片已在前几日全线批量生产了。

现阶段，在全世界NOR Flash存储芯片领域，一般通用技术都是65纳米。武汉新芯新一代50纳米技术，已靠近该类存储芯片的物理极限，无论是芯片的存储单元面积还是它的存储密度，都已经做到国际领先水平。

据了解，武汉新芯50纳米闪存技术于去年12月取得突破，随后就开始投入量产准备。从65纳米到50纳米的提升，武汉新芯仅仅用了一年半的时间。