开关电源设计之MOS管反峰及RCD吸收回路

对于一位开关电源工程师来说，在一对或多对相互对立的条件面前做出选择，那是常有的事。而我们今天讨论的这个话题就是一对相互对立的条件。

在讨论前我们先做几个假设：

① 开关电源的工作频率范围:20~200KHZ；

② RCD中的二极管正向导通时间很短(一般为几十纳秒)；

③ 在调整RCD回路前主变压器和MOS管，输出线路的参数已经完全确定。

有了以上几个假设我们就可以先进行计算：

一﹑首先对MOS管的VD进行分段：

ⅰ，输入的直流电压VDC；

ⅱ，次级反射初级的VOR；

ⅲ，主MOS管VD余量VDS；

ⅳ，RCD吸收有效电压VRCD1。

二﹑对于以上主MOS管VD的几部分进行计算：

ⅰ，输入的直流电压VDC。

在计算VDC时，是依最高输入电压值为准。如宽电压应选择AC265V，即DC375V。

VDC=VAC *√2

ⅱ，次级反射初级的VOR。

VOR是依在次级输出最高电压，整流二极管压降最大时计算的，如输出电压为：5.0V±5%(依Vo =5.25V计算)，二极管VF为0.525V(此值是在1N5822的资料中查找额定电流下VF值)

VOR=(VFVo)*Np/Ns